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中国首颗超级IGBT芯片打破技术垄断
    由中国自主研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块,在中国南车株洲所正式亮相,这款超级IGBT芯片代表了中国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。
    IGBT中文名为“绝缘栅双极型晶体管”。此前,高压高功率密度IGBT技术几乎全部被国外少数几家企业垄断,国内还是一片空白,使得中国关键产业发展在很大程度上受制于人。从传统的电力、机械、矿冶,到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业,高压高功率密度的IGBT应用领域广泛,堪称现代功率变流装置的“心脏”和绿色高端产业的“核芯”。
    从2011年开始,中国南车株洲所通过全球性的战略布局,吸纳国际优势研发资源,对该项高端技术进行自主攻关,终于在2012年12月份开发出国内首款从芯片到模块完全自主化的3300伏等级的IGBT芯片,并在此基础上,又成功研制出4500伏、6500伏高功率密度IGBT芯片及其模块。
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